Luogo di origine: | Cina |
Marca: | INFI |
Prezzo: | Please contact us |
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Applicazioni
Gli elettrodi BDD (Boron-Doped Diamond) eccellono nel degrado di complessi inquinanti organici in tutti i settori:
Rifiuti farmaceutici/chimici
Prodotti derivati della petrochimica e del coke
Colori tessili ed effluenti per abbronzatura
Risidui di scarico e di esplosivo
Acque reflue di pasta/carta e distilleria
- No, no, no, no. | Nome del prodotto | Sostanze | Specificità | Unità |
1 | elettrodo BDD | di larghezza non superiore a 50 mm | 5*5*0,55 mm | Pezzo |
2 | elettrodo BDD | di larghezza non superiore a 50 mm | 5*5*1,0 mm 2 fori aperti |
Pezzo |
3 | elettrodo BDD | di larghezza non superiore a 50 mm | 5*5*1,0 mm 4 fori aperti |
Pezzo |
4 | elettrodo BDD | di larghezza non superiore a 50 mm | 8*6*1 Fabbricazione |
Pezzo |
5 | elettrodo BDD | di larghezza non superiore a 50 mm | 7*7*0,5 mm | Pezzo |
6 | elettrodo BDD | di larghezza non superiore a 50 mm | 10*10*0,625 mm | Pezzo |
7 | elettrodo BDD | di larghezza non superiore a 50 mm | 10*10*0,625 mm | Pezzo |
8 | elettrodo BDD | di larghezza non superiore a 50 mm | 10*10*0,5 mm | Pezzo |
Vantaggi di prestazione
Efficienza superiore: Supera gli elettrodi PbO2/Pt nella degradazione organica con un consumo energetico inferiore del 30%
Generazione di ozono eco-sicuro: produzione di ozono privo di elettroliti per la depurazione dell'acqua
Estrema durata: resistente alla corrosione in ambienti chimici aggressivi
Proprietà dei semiconduttori
Ultrawide Bandgap: 5,47 eV (5× silicio ′s 1,1 eV) consente il funzionamento del dispositivo ad alta temperatura/alta frequenza
Conduttività termica: 2.200 W/mK (5× rame) riduce la dimensione/il peso dei componenti negli amplificatori e laser
Mobilità elettronica: Mobilità dei fori più elevata tra i materiali a banda larga, ideale per gli IC a onde millimetriche
Metrici tecniche
Indice Johnson: 8.200 (rispetto a 410 per il SiC)
Indice Baliga: ottimale per i sistemi di commutazione di potenza
Affinità elettronica negativa: consente applicazioni a catodo freddo
Caratteristiche chiave
Conduttività termica regolabile: 1.000 ¥1.800 W/mK (9× silicio ¥139 W/mK)
Ingegneria di precisione:
Spessore Tolleranza: ±25 μm
Piattazza superficiale: < 4 μm/cm
Finitura laterale della crescita: < 100 nm Ra
Finitura laterale di nucleazione: < 30 nm Ra
Specificativi standard
Dimensioni: fino a Ø65 mm (personalizzabile)
Spessore:
Materiale grezzo: 0,3 ∼1,5 mm
Polito: 0,2 ∼1,0 mm
Densità: 3,5 g/cm3
Modulo dei giovani: 1.000 ¥ 1.100 GPa
Applicazioni termiche
Altri dispositivi per il controllo delle emissioni
Dispersori di calore a circuito integrato
Soluzioni termiche compatte per elettronica aerospaziale
Persona di contatto: Mrs. Alice Wang
Telefono: + 86 13574841950